AP1606

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:550mW
击穿电压:20V
阈值电压:0.8V
额定功率:550mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@2.5V,300mA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:700mA
封装/外壳:DFN1006-3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:6.5pF
工作温度:+150℃
配置:单路
最小包装:10000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):1.1nC
高度:0.50mm
类型:1个N沟道