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AP4606
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.9A;6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22.5mΩ@10V,6.9A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 28/35 连续漏极电流ID (A) 6
AP045N03M
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道,30V,75A,5mΩ@10V
AP4953
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.9A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.9A MOSFET类型 P+P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 53/60 连续漏极电流ID (A) 4.1
AP3400S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道,30V,5.8A
AP83T03K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA N沟道,30V,75A
AP8205
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
AP15N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
AP2300B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: AP2300B
AP1002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 0.8-2.0 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 210/273 连续漏极电流ID (A) 2
AP200N04
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,50A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 2.4/2.8 连续漏极电流ID (A) 160