ALLPOWER
商品列表
APG095N01K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 63W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 41.8nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 63W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 41.8nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP3010
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 1.6V@250µA 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.55nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 1.6V@250µA 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.55nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
AP30H150K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：62.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 108W 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@20V,120A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 330pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3mΩ 输入电容: 2.68nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：62.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 108W 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@20V,120A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 330pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3mΩ 输入电容: 2.68nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
AP60P20Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 80W 阈值电压: 0.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 440pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 3.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 55nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 80W 阈值电压: 0.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 440pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 3.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 55nC 零件状态: Active
AP4616
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 120pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 输入电容: 1.75nF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 120pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 输入电容: 1.75nF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active
AP3407
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.4V@250µA 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -4.1A 反向传输电容Crss: 75pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 700pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.4V@250µA 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -4.1A 反向传输电容Crss: 75pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 700pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
AP30H50Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 额定功率: 30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13.3nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 额定功率: 30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13.3nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
AP4410
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 功率耗散: 3W 阈值电压: 1.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOP-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13.3nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 功率耗散: 3W 阈值电压: 1.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOP-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13.3nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active
AP2300
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±12V ID=5.2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.7V@250uA 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@2.5V,5.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.2A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 输入电容: 630pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±12V ID=5.2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.7V@250uA 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@2.5V,5.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.2A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 输入电容: 630pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AP4435C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: -30V 阈值电压: -2.5V 额定功率: 3.7W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 反向传输电容Crss: 278pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.55nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 1.75mm 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: -30V 阈值电压: -2.5V 额定功率: 3.7W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 反向传输电容Crss: 278pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.55nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 1.75mm 类型: 1个P沟道