AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4485
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: -40V,-10A,P沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: -40V,-10A,P沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道
AO4264E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.5mΩ 输入电容: 1.1nF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.5mΩ 输入电容: 1.1nF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AOD444
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 12A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 12A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO6409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 2.1W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 漏极电流: 5.5A 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 9.3nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 2.1W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 漏极电流: 5.5A 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 9.3nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
AO4402G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5,4.5V 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.9mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5,4.5V 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.9mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AONS62604
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 是否无铅: No 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 108pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 64nC 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.1mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 90nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 是否无铅: No 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 108pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 64nC 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.1mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 90nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AON7400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 3.00 x 3.00mm SMT DFN8L_3X3MM-EP 40A N-Channel
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.97V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 输入电容: 1.38nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 3.00 x 3.00mm SMT DFN8L_3X3MM-EP 40A N-Channel
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.97V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 输入电容: 1.38nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO4435
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS P-Channel VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS P-Channel VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AO3404A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
AON7409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: ±20V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 栅极源极击穿电压: 17mΩ 反向传输电容Crss: 363pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: ±20V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 栅极源极击穿电压: 17mΩ 反向传输电容Crss: 363pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 晶体管类型: P沟道