AONS62604
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | No |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 1.6V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 108pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 64nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 4.1mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 90nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.9339 |
| 10+ | ¥3.6313 |
| 30+ | ¥3.5708 |
| 100+ | ¥3.3892 |
| 包装：1 | 库存：30 |