AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO3423
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -20V,-2A,P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 92mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -20V,-2A,P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 92mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: P沟道
AO3480C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.8V@250μA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V,6.2A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.80mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 高度: 1.25mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.8V@250μA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V,6.2A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.80mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 高度: 1.25mm
AO3420
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 6A
安装类型: SMT 阈值电压: 1V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.5nC 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 630pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8.8nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 6A
安装类型: SMT 阈值电压: 1V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.5nC 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 630pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8.8nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AON6354
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 83A（Tc） 36W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 36W 额定功率: 36W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 83A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 35nC 配置: 单路 输入电容: 1.33nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 83A（Tc） 36W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 36W 额定功率: 36W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 83A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 35nC 配置: 单路 输入电容: 1.33nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin
AO6802
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP6 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 原产国家: America 输入电容: 210pF@15V FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP6 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 原产国家: America 输入电容: 210pF@15V FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: -
AO4805
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=30V ID=9A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: -2.3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 9A 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=30V ID=9A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: -2.3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 9A 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
AO3400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26.5mΩ@10V,5.7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.7A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.7A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 输入电容: 630pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26.5mΩ@10V,5.7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.7A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.7A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 输入电容: 630pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
AOTS21115C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 20V 阈值电压: 950mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 输入电容: 930pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 20V 阈值电压: 950mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 输入电容: 930pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AO3160
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-CH 600V 0.04A
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.39W 阈值电压: 3.2V@8µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 15pF@25V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 1.5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-CH 600V 0.04A
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.39W 阈值电压: 3.2V@8µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 15pF@25V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 1.5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AON2403
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN（2x2）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 功率耗散: 2.8W 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 封装/外壳: DFN2X2B-6L 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN（2x2）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 功率耗散: 2.8W 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 封装/外壳: DFN2X2B-6L 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道