AO4264E

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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A(Ta) 3.1W(Ta) SOIC8

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:3.1W
阈值电压:1.8V
额定功率:3.1W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:13.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):10.5mΩ
输入电容:1.1nF
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):25nC
零件状态:Active
高度:1.65mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0491
10+¥0.9665
30+¥0.9499
100+¥0.9004
包装:1 库存:1246