AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 8A,7A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 原产国家: America 输入电容: 740pF,1.040nF FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 18nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 8A,7A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 原产国家: America 输入电容: 740pF,1.040nF FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 18nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.01nF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.01nF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 50nC 配置: 单路 输入电容: 3.78nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 70nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 50nC 配置: 单路 输入电容: 3.78nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 70nC@10V 晶体管类型: N沟道
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=40V ID=30A DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 阈值电压: 2.4V@250µA 额定功率: 4.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 1.225nF@20V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 26nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=40V ID=30A DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 阈值电压: 2.4V@250µA 额定功率: 4.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 1.225nF@20V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 26nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12A DFN6_1.6X1MM
安装类型: SMT 是否无铅: No 工作电流: 1μA 最大工作电压(DC): 5V（max） 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 存储温度: -40℃~+85℃ 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 原产国家: America 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 单向通道: 2 认证信息: RoHS 高度: 0.55mm 结电容: 0.6pF@1MHz
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12A DFN6_1.6X1MM
安装类型: SMT 是否无铅: No 工作电流: 1μA 最大工作电压(DC): 5V（max） 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 存储温度: -40℃~+85℃ 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 原产国家: America 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 单向通道: 2 认证信息: RoHS 高度: 0.55mm 结电容: 0.6pF@1MHz
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 3.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 3.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 晶体管类型: N沟道
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,100V,1A,630mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,100V,1A,630mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 晶体管类型: N沟道
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 83W 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 反向传输电容Crss: 196pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 65nC@10V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 83W 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 反向传输电容Crss: 196pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 65nC@10V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道