AO6409

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
功率耗散:2.1W
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
阈值电压:1V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.5A
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP6
元件生命周期:Active
漏极电流:5.5A
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:9.3nC
配置:单路
FET功能:-
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):17.2nC@4.5V
晶体管类型:P沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.6417
10+¥1.5154
30+¥1.4901
100+¥1.4144
包装:1 库存:18
价格梯度 价格
1+¥2.5150
10+¥2.0950
30+¥1.8850
100+¥1.6750
500+¥1.5500
1000+¥1.4850
包装:1 库存:4