AO6409
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1V@250µA |
| 额定功率: | 2.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 45mΩ@4.5V,5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.5A |
| 封装/外壳: | TSOP6 |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 漏极电流: | 5.5A |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 系列: | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 45毫欧@5A，4.5V |
| 输入电容: | 1.45nF@10V |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.2nC@4.5V |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.6417 |
| 10+ | ¥1.5154 |
| 30+ | ¥1.4901 |
| 100+ | ¥1.4144 |
| 包装：1 | 库存：18 |