AO6409
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
功率耗散: | 2.1W |
技术路线: | MOSFET (Metal Oxide) |
阈值电压: | 1V@250µA |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 5.5A |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): | 1.8V,4.5V |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | TSOP6 |
元件生命周期: | Active |
漏极电流: | 5.5A |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 9.3nC |
配置: | 单路 |
FET功能: | - |
漏源电压(Vdss): | 20V |
栅极电荷(Qg): | 17.2nC@4.5V |
晶体管类型: | P沟道 |
引脚数: | 6Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.6417 |
10+ | ¥1.5154 |
30+ | ¥1.4901 |
100+ | ¥1.4144 |
包装:1 | 库存:18 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥2.5150 |
10+ | ¥2.0950 |
30+ | ¥1.8850 |
100+ | ¥1.6750 |
500+ | ¥1.5500 |
1000+ | ¥1.4850 |
包装:1 | 库存:4 |