AO4435
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS P-Channel VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | AOS |
击穿电压: | 30V |
阈值电压: | 3V@250µA |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
连续漏极电流: | 10.5A |
封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
漏极电流: | 10.5A |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
原产国家: | America |
脚间距: | 1.27mm |
FET功能: | - |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 30V |
栅极电荷(Qg): | 24nC@10V |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | P沟道 |
引脚数: | 8Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥2.0356 |
10+ | ¥1.6247 |
30+ | ¥1.4486 |
100+ | ¥1.2289 |
500+ | ¥1.1310 |
1000+ | ¥1.0723 |
包装:1 | 库存:0 |