AGMSEMI
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AGM40P26S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：6.0A功率(Pd）：1.6W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.10nF@20V ,Vds=40v Id=6.0A Rds=32mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：6.0A功率(Pd）：1.6W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.10nF@20V ,Vds=40v Id=6.0A Rds=32mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM308S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,12A 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=30V Id=13A Rds=6.5mΩ(9.5mΩ最大)SOP-8封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,12A 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=30V Id=13A Rds=6.5mΩ(9.5mΩ最大)SOP-8封装；
AGM210MAP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：一个N沟道，一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流（Id）：25A/-25A功率(Pd）：35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：11mΩ@4.5V,4A/18mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@4.5V /16nC@-4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.95nF@10V/0.9nF@10V ,Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ ，工作温度：-5
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：一个N沟道，一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流（Id）：25A/-25A功率(Pd）：35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：11mΩ@4.5V,4A/18mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@4.5V /16nC@-4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.95nF@10V/0.9nF@10V ,Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ ，工作温度：-5
AGM15T13F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：112W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：112W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,40A
AGM15T13C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：112W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：112W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,40A
AGM402D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：73nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) BLDC(无刷电机)推荐料，Vds=40V Id=120A Rds=2.1mΩ(2.9mΩ最大)?TO-252封装；
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 125W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 320pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容(Ciss)(Max): 3.04nF 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.50mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：73nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) BLDC(无刷电机)推荐料，Vds=40V Id=120A Rds=2.1mΩ(2.9mΩ最大)?TO-252封装；
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 125W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 320pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容(Ciss)(Max): 3.04nF 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.50mm 零件状态: Active
AGM301A1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5mΩ@10V,20A
AGM4025A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：73.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.0mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40V Id=125A Rds=2.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：73.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.0mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40V Id=125A Rds=2.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
AGM056N10C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.65nF@50V ,Vds=100V Id=140A Rds=5.4mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.65nF@50V ,Vds=100V Id=140A Rds=5.4mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH03N85C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：140A功率(Pd）：227W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.8mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.89nF@50V ,Vds=85v Id=140A Rds=2.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：140A功率(Pd）：227W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.8mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.89nF@50V ,Vds=85v Id=140A Rds=2.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)