AGMH03N85C
品牌
AGMSEMI
供应商
描述
场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：140A功率(Pd）：227W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.8mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.89nF@50V ,Vds=85v Id=140A Rds=2.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)