AGMSEMI

类型：一个N沟道，一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流（Id）：25A/-25A功率(Pd）：35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：11mΩ@4.5V,4A/18mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@4.5V /16nC@-4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.95nF@10V/0.9nF@10V ,Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ ，工作温度：-5