AGMSEMI
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AGM40P55A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
AGM40P55AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
AGM30P55D1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；
AGM4018S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：48V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：18.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.332nF@15V ,Vds=48V Id=18A Rds=5.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：48V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：18.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.332nF@15V ,Vds=48V Id=18A Rds=5.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM206D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：72W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@4.5V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：72W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@4.5V,20A
AGM028N08A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：167W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：59.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.1nF@50V ,Vds=85V Id=170A Rds=2.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：167W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：59.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.1nF@50V ,Vds=85V Id=170A Rds=2.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
AGM206AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：72W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.8nF@15V ,Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：72W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.8nF@15V ,Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
AGM01P15D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：315mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.734nF@50V ,Vds=100V Id=13A Rds=315mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：315mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.734nF@50V ,Vds=100V Id=13A Rds=315mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM01T08LL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：300A 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,50A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：300A 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,50A
AGM205D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流（Id）：90A功率(Pd）：68W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.8mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）48nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.2nF@15V ,Vds=20v Id=90A Rds=2.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流（Id）：90A功率(Pd）：68W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.8mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）48nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.2nF@15V ,Vds=20v Id=90A Rds=2.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)