AGM402D
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：73nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) BLDC(无刷电机)推荐料，Vds=40V Id=120A Rds=2.1mΩ(2.9mΩ最大)?TO-252封装；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | AGMSEMI |
| 功率耗散: | 125W |
| 原始制造商: | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. |
| 阈值电压Vgs(th): | 1.7V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 120A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO252 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 320pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 输入电容(Ciss)(Max): | 3.04nF |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 3.1mΩ |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 高度: | 2.50mm |
| 零件状态: | Active |