AGMSEMI
None
商品列表
AGM635E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.98nF@20V ,Vds=60V Id=5A Rds=32mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.98nF@20V ,Vds=60V Id=5A Rds=32mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM4025D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：125A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40v Id=125A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：125A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40v Id=125A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM25T16AT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,45A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,45A
AGM401A
供应商: LCSC
供应商: LCSC
AGM016T08LL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：378W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.85mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：140nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.374nF@42V ,Vds=85V Id=280A Rds=1.85mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：378W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.85mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：140nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.374nF@42V ,Vds=85V Id=280A Rds=1.85mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM206MAP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.31nF@10V ,Vds=20V Id=25A Rds=4.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.31nF@10V ,Vds=20V Id=25A Rds=4.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
AGM40P100H
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：114A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：106nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.7nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：114A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：106nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.7nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM206D
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
AGM3416E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@4.5V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@4.5V,5A
AGM403Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.975nF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.975nF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；