AGMSEMI

场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：73.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.0mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40V Id=125A Rds=2.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；