AGM30P55D1
品牌
AGMSEMI
供应商
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；