AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：72W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：2.8nF@15V ,Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；