AGMSEMI

AGM025N13LL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：305A 功率(Pd)：357W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.9mΩ@10V,50A

AGM12T05A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>120V</SPAN> 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A 通用料（ 低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装；

AGM12T05F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>120V</SPAN> 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A

AGM15T13A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>75A</SPAN> 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A

AGM302A1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,20A

AGM302D1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,20A

AGM03N85H
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.89nF@50V ,Vds=85V Id=140A Rds=2.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

AGM601LL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：223A 功率(Pd)：178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.25mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.471nF@30V ,Vds=60V Id=223A Rds=1.25mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

AGM40P55D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V ,Vds=40V Id=50A Rds=8.9mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

AGM30P55A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：59W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A