AGMSEMI

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：315mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.734nF@50V ,Vds=100V Id=13A Rds=315mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)