AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：167W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：59.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.1nF@50V ,Vds=85V Id=170A Rds=2.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；