AGMSEMI
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AGM307MBP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A
AGM1075-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：7.2A 功率(Pd)：13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：78mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.52nF@50V ,Vds=100V Id=7.2A Rds=78mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：7.2A 功率(Pd)：13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：78mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.52nF@50V ,Vds=100V Id=7.2A Rds=78mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM615D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.62V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.64nF@30V ,Vds=60V Id=45A Rds=11.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj);
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.62V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.64nF@30V ,Vds=60V Id=45A Rds=11.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj);
AGM609D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：60A功率(Pd）：62.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：52.1nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.1nF@30V ,Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：60A功率(Pd）：62.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：52.1nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.1nF@30V ,Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM025N08H
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：180A功率(Pd）：250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.3mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）138.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.237nF@42.5V ,Vds=85v Id=180A Rds=2.3mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：180A功率(Pd）：250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.3mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）138.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.237nF@42.5V ,Vds=85v Id=180A Rds=2.3mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM308MN
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：15A功率(Pd）：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：8.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.980nF@0V ,Vds=30v Id=15A Rds=8.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) SOP8封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：15A功率(Pd）：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：8.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.980nF@0V ,Vds=30v Id=15A Rds=8.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) SOP8封装；
AGM409A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：63A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@30V ,Vds=40V Id=63A Rds=6.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：63A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@30V ,Vds=40V Id=63A Rds=6.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
AGM3015A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：136A功率(Pd）：63W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：1.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.091nF@15V ,Vds=30v Id=136A Rds=1.3mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：136A功率(Pd）：63W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：1.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.091nF@15V ,Vds=30v Id=136A Rds=1.3mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM2319EL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：63mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.553nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：63mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.553nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)