AGMSEMI

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：63mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.553nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)