AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：7.2A 功率(Pd)：13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：78mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.52nF@50V ,Vds=100V Id=7.2A Rds=78mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)