AGM3015A
品牌
AGMSEMI
供应商
描述
场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：136A功率(Pd）：63W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：1.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.091nF@15V ,Vds=30v Id=136A Rds=1.3mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)