AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.62V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.64nF@30V ,Vds=60V Id=45A Rds=11.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj);