AGMSEMI

类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：15A功率(Pd）：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：8.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.980nF@0V ,Vds=30v Id=15A Rds=8.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) SOP8封装；