AGMSEMI
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商品列表
AGM409D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：63A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@30V ,Vds=40V Id=63A Rds=6.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：63A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@30V ,Vds=40V Id=63A Rds=6.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
AGM12T08A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：120V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：120V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,20A
AGM401A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：92.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.86mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：115nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.5nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：92.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.86mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：115nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.5nF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6封装；
AGM302C1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：100nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：100nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
AGM40P100A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,12A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,12A
AGM3005A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：316A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：142nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.01nF@15V ,Vds=30V Id=316A Rds=0.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：316A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：142nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.01nF@15V ,Vds=30V Id=316A Rds=0.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;
AGMH056N08C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：142A 功率(Pd)：240W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.895nF@40V ,Vds=85V Id=142A Rds=5.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ;
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：142A 功率(Pd)：240W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.895nF@40V ,Vds=85V Id=142A Rds=5.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ;
AGMH056N08HM1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：142A功率(Pd）：240W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：4.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.895nF@40V ,Vds=85v Id=142A Rds=4.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V连续漏极电流（Id）：142A功率(Pd）：240W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：4.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.895nF@40V ,Vds=85v Id=142A Rds=4.8mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM3400E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,5.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.63nF@15V ,Vds=30V Id=5.6A Rds=20mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,5.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.63nF@15V ,Vds=30V Id=5.6A Rds=20mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
AGM4005LL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 40V 350A 250W(Tc) 0.82mΩ
安装类型: SMT 封装/外壳: TOLL-8L 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 0.82mΩ 功率耗散: 250W 漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流Id@25℃: 350A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 9.90 x 10.40mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 40V 350A 250W(Tc) 0.82mΩ
安装类型: SMT 封装/外壳: TOLL-8L 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 0.82mΩ 功率耗散: 250W 漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流Id@25℃: 350A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 9.90 x 10.40mm