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TK7A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 780 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 780 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
THN-N203N1280E4
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 128 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 128 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 温度范围: -25 → +85°C 系列: N203
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 128 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 128 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 温度范围: -25 → +85°C 系列: N203
TTD1409B,S4X(S
供应商: RS
分类: 达林顿管
描述: 东芝 达林顿管, 6 A, 每片2芯片 NPN, Vce=400 V, HFE=100, 3引脚 TO-220SIS封装
晶体管类型: NPN 最大连续集电极电流: 6 A 最大集电极-发射极电压: 400 V 最大发射极-基极电压: 5 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 配置: 单 每片芯片元件数目: 2 最小直流电流增益: 100 最大基极-发射极饱和电压: 2.5 V 最大集电极-基极电压: 600 V 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 最大集电极-基极截止电流: 20µA 最高工作温度: +150 °C 基电流: 1A 长度: 10mm 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 最大功率耗散: 25 W @ 25 °C 尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
供应商: RS
分类: 达林顿管
描述: 东芝 达林顿管, 6 A, 每片2芯片 NPN, Vce=400 V, HFE=100, 3引脚 TO-220SIS封装
晶体管类型: NPN 最大连续集电极电流: 6 A 最大集电极-发射极电压: 400 V 最大发射极-基极电压: 5 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 配置: 单 每片芯片元件数目: 2 最小直流电流增益: 100 最大基极-发射极饱和电压: 2.5 V 最大集电极-基极电压: 600 V 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 最大集电极-基极截止电流: 20µA 最高工作温度: +150 °C 基电流: 1A 长度: 10mm 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 最大功率耗散: 25 W @ 25 °C 尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
THN-N203N0160E4
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 16 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 16 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 温度范围: -25 → +85°C 系列: N203
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 16 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 16 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 温度范围: -25 → +85°C 系列: N203
TPN6R003NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 56 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 56 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 32 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.1mm 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10 V 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 3.1mm 系列: U-MOSVIII-H
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 56 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 56 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 32 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.1mm 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10 V 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 3.1mm 系列: U-MOSVIII-H
2SD1223(TE16L1,NQ)
供应商: RS
分类: 达林顿管
描述: 东芝 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片 NPN, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
晶体管类型: NPN 最大连续集电极电流: 4 A 最大集电极-发射极电压: 80 V 最大发射极-基极电压: 5 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 每片芯片元件数目: 1 最小直流电流增益: 2000 最大基极-发射极饱和电压: 2 V 最大集电极-基极电压: 100 V 最大集电极-发射极饱和电压: 1.5 V 最大集电极-基极截止电流: 0.02mA 宽度: 6.5mm 高度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.5mm 尺寸: 5.5 x 6.5 x 2.3mm 最大功率耗散: 15 W
供应商: RS
分类: 达林顿管
描述: 东芝 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片 NPN, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
晶体管类型: NPN 最大连续集电极电流: 4 A 最大集电极-发射极电压: 80 V 最大发射极-基极电压: 5 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 每片芯片元件数目: 1 最小直流电流增益: 2000 最大基极-发射极饱和电压: 2 V 最大集电极-基极电压: 100 V 最大集电极-发射极饱和电压: 1.5 V 最大集电极-基极截止电流: 0.02mA 宽度: 6.5mm 高度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.5mm 尺寸: 5.5 x 6.5 x 2.3mm 最大功率耗散: 15 W
TK9A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 9.3 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.3 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 500 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 长度: 10mm 正向二极管电压: 1.7V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 9.3 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.3 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 500 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 长度: 10mm 正向二极管电压: 1.7V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C
TK6Q65W,S1Q(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm
TK31Z60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 最大漏源电阻值: 88 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV-H 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC 高度: 20.95mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 最大漏源电阻值: 88 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV-H 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC 高度: 20.95mm