东芝
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TK6Q60W,S1VQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 6.2 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.2 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 820 mΩ 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 60 W 典型栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 典型接通延迟时间: 40 ns 高度: 7.12mm 系列: DTMOSIV 典型输入电容值@Vds: 390 pF @ 300 V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm 尺寸: 6.65 x 2.3 x 7.12mm 典型关断延迟时间: 55 ns 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 6.2 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.2 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 820 mΩ 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 60 W 典型栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 典型接通延迟时间: 40 ns 高度: 7.12mm 系列: DTMOSIV 典型输入电容值@Vds: 390 pF @ 300 V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm 尺寸: 6.65 x 2.3 x 7.12mm 典型关断延迟时间: 55 ns 正向二极管电压: 1.7V
TK25Z60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 25 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 最大漏源电阻值: 125 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 180 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC 长度: 15.94mm 最高工作温度: +150 °C 系列: DTMOSIV-H 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 25 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 最大漏源电阻值: 125 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 180 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC 长度: 15.94mm 最高工作温度: +150 °C 系列: DTMOSIV-H 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm
TK58E06N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 105 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 5.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 110 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15.1mm 宽度: 4.45mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 105 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 5.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 110 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15.1mm 宽度: 4.45mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm
TK7A60W5,S5VX(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 7 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 650 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 15mm 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 长度: 10mm 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 7 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 650 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 15mm 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 长度: 10mm 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
TK39N60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 38.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 65 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 38.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 65 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm
TLP3906(E(O
供应商: RS
分类: 光耦
描述: Toshiba东芝 光耦合器, 表面安装, 4引脚, SOIC 封装, 光电二极管, 0.2ms, 直流输入
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电二极管 最大正向电压: 1.8V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: SOIC 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 0.2ms 最大输入电流: 30 mA 隔离电压: 3.75 kVrms 典型下降时间: 0.3ms 特殊功能: 内置控制电路
供应商: RS
分类: 光耦
描述: Toshiba东芝 光耦合器, 表面安装, 4引脚, SOIC 封装, 光电二极管, 0.2ms, 直流输入
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电二极管 最大正向电压: 1.8V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: SOIC 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 0.2ms 最大输入电流: 30 mA 隔离电压: 3.75 kVrms 典型下降时间: 0.3ms 特殊功能: 内置控制电路
TK28A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 27.6 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27.6 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 45 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 75 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 系列: DTMOSIV 高度: 15mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 27.6 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27.6 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 45 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 75 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 系列: DTMOSIV 高度: 15mm
TK39N60W5,S1VF(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 38.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 74 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 38.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 74 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 15.94mm 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V
TC7S14F(F)
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 反相器, 5引脚, 施密特触发器输入, SSOP封装, 最高工作温度 +85 °C, 6 V电源, 是输入
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 是 最长传播延迟时间@最长CL: 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 100 ns @ 2 V 最大高电平输出电流: -2.6mA 最大低电平输出电流: 2.6mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: HC 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.1mm 高度: 1.1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最低工作温度: -40 °C 长度: 2.9mm 最高工作温度: +85 °C 最大工作电源电压: 6 V 宽度: 1.6mm 最小工作电源电压: 2 V
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 反相器, 5引脚, 施密特触发器输入, SSOP封装, 最高工作温度 +85 °C, 6 V电源, 是输入
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 是 最长传播延迟时间@最长CL: 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 100 ns @ 2 V 最大高电平输出电流: -2.6mA 最大低电平输出电流: 2.6mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: HC 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.1mm 高度: 1.1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最低工作温度: -40 °C 长度: 2.9mm 最高工作温度: +85 °C 最大工作电源电压: 6 V 宽度: 1.6mm 最小工作电源电压: 2 V
TPN11003NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 31 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 31 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 19 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 7.5 nC @ 10 V 长度: 3.1mm 高度: 0.85mm 宽度: 3.1mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 31 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 31 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 19 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 7.5 nC @ 10 V 长度: 3.1mm 高度: 0.85mm 宽度: 3.1mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H