东芝
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TK5A60W5,S5VX(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 4.5 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.5 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 950 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11.5 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 4.5 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.5 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 950 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11.5 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15mm 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
THN-M303R1280E2
供应商: RS
分类: TF卡
描述: 东芝 TF卡, 容量 128 GB, Class 10, UHS-1 U3
卡片格式: MicroSD 容量: 128 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U3 温度范围: -25 → +85°C
供应商: RS
分类: TF卡
描述: 东芝 TF卡, 容量 128 GB, Class 10, UHS-1 U3
卡片格式: MicroSD 容量: 128 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U3 温度范围: -25 → +85°C
TK62N60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 61.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 61.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 40 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 400 W 典型关断延迟时间: 240 ns 正向二极管电压: 1.7V 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 90 ns 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 6500 pF @ 300 V 系列: DTMOSIV-H 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V 宽度: 5.02mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 61.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 61.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 40 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 400 W 典型关断延迟时间: 240 ns 正向二极管电压: 1.7V 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 90 ns 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 6500 pF @ 300 V 系列: DTMOSIV-H 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V 宽度: 5.02mm
TLP185(BL,SE(T
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 表面安装, 4引脚, SO6 封装, 光电晶体管, 5μs, 直流输入
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.4V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: SO6 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 5µs 最大输入电流: 1 A 隔离电压: 3750 Vrms 最大电流传输比: 400% 典型下降时间: 9µs
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 表面安装, 4引脚, SO6 封装, 光电晶体管, 5μs, 直流输入
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.4V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: SO6 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 5µs 最大输入电流: 1 A 隔离电压: 3750 Vrms 最大电流传输比: 400% 典型下降时间: 9µs
TK35A65W5,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 35 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 35 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 95 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 50 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 115 nC @ 10 V 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 35 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 35 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 95 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 50 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 115 nC @ 10 V 长度: 10mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C
TK31Z60X,S1F(O
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品东芝 MOSFET, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 880 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 230 W 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 130 ns 最低工作温度: -55 °C 宽度: 5mm 典型接通延迟时间: 50 ns 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 15.94 x 5 x 20.95mm 典型输入电容值@Vds: 3000 pF @ 300 V 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品东芝 MOSFET, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 880 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 230 W 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 130 ns 最低工作温度: -55 °C 宽度: 5mm 典型接通延迟时间: 50 ns 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 15.94 x 5 x 20.95mm 典型输入电容值@Vds: 3000 pF @ 300 V 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm
TK31N60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 30.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 88 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 长度: 15.94mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 30.8 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30.8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 88 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 长度: 15.94mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
TC7WH32FK(TE85L,F)
供应商: RS
分类: 逻辑门
描述: Toshiba TC7WH32FK(TE85L,F) 1个 2输入 OR 逻辑门, CMOS输出, 8mA, 2 → 5.5 V电源, 8引脚 SSOP封装
逻辑功能: OR 安装类型: 表面贴装 元件数目: 1 每逻辑门 的输入端数量: 2 施密特触发器输入: 否 封装类型: SSOP 引脚数目: 8 输入类型: CMOS 最大工作电源电压: 5.5 V 最大高电平输出电流: -8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 13 ns @ 50 pF 最小工作电源电压: 2 V 最大低电平输出电流: 8mA 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 2.8mm 尺寸: 2.9 x 2.8 x 1.1mm 长度: 2.9mm 传输延迟测试条件: 15pF 高度: 1.1mm 输出类型: CMOS
供应商: RS
分类: 逻辑门
描述: Toshiba TC7WH32FK(TE85L,F) 1个 2输入 OR 逻辑门, CMOS输出, 8mA, 2 → 5.5 V电源, 8引脚 SSOP封装
逻辑功能: OR 安装类型: 表面贴装 元件数目: 1 每逻辑门 的输入端数量: 2 施密特触发器输入: 否 封装类型: SSOP 引脚数目: 8 输入类型: CMOS 最大工作电源电压: 5.5 V 最大高电平输出电流: -8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 13 ns @ 50 pF 最小工作电源电压: 2 V 最大低电平输出电流: 8mA 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 2.8mm 尺寸: 2.9 x 2.8 x 1.1mm 长度: 2.9mm 传输延迟测试条件: 15pF 高度: 1.1mm 输出类型: CMOS
TK9Q65W,S1Q(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 9.3 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.3 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 560 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 长度: 6.65mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 9.3 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.3 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 560 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 长度: 6.65mm 最高工作温度: +150 °C
TK39Z60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 38.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 65 mΩ 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 通道模式: 增强 类别: 高速开关 最大功率耗散: 270 W 宽度: 5.02mm 长度: 15.94mm 典型输入电容值@Vds: 4100 pF 系列: DTMOSIV-H 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV-H 系列, N沟道, Vds=600 V, 38.8 A, 4引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38.8 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 65 mΩ 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 4 通道模式: 增强 类别: 高速开关 最大功率耗散: 270 W 宽度: 5.02mm 长度: 15.94mm 典型输入电容值@Vds: 4100 pF 系列: DTMOSIV-H 高度: 20.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 最高工作温度: +150 °C