2SD1223(TE16L1,NQ)

品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>达林顿管
描述
东芝 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片 NPN, Vce=80 V, HFE=2000, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

物料参数

晶体管类型:NPN
最大连续集电极电流:4 A
最大集电极-发射极电压:80 V
最大发射极-基极电压:5 V
封装类型:DPAK (TO-252)
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
晶体管配置:
每片芯片元件数目:1
最小直流电流增益:2000
最大基极-发射极饱和电压:2 V
最大集电极-基极电压:100 V
最大集电极-发射极饱和电压:1.5 V
最大集电极-基极截止电流:0.02mA
宽度:6.5mm
高度:2.3mm
最高工作温度:+150 °C
长度:5.5mm
尺寸:5.5 x 6.5 x 2.3mm
最大功率耗散:15 W