东芝
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TK72E08N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 157 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 157 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 192 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: U-MOSVIII-H 高度: 15.1mm 长度: 10.16mm 典型栅极电荷@Vgs: 81 nC @ 10 V 宽度: 4.45mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 157 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 157 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 192 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: U-MOSVIII-H 高度: 15.1mm 长度: 10.16mm 典型栅极电荷@Vgs: 81 nC @ 10 V 宽度: 4.45mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V
2SC4738-GR(T5L,F,T
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 东芝 双极晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 150 mA, SSM封装, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 150 mA 最大集电极-发射极电压: 50 V 封装类型: SSM 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 100 mW 最小直流电流增益: 120 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 60 V 最大发射极-基极电压: 5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.25 V 宽度: 0.8mm 晶体管材料: Si 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.7mm 高度: 0.7mm 长度: 1.6mm 最高工作温度: +125 °C
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 东芝 双极晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 150 mA, SSM封装, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 150 mA 最大集电极-发射极电压: 50 V 封装类型: SSM 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 100 mW 最小直流电流增益: 120 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 60 V 最大发射极-基极电压: 5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.25 V 宽度: 0.8mm 晶体管材料: Si 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.7mm 高度: 0.7mm 长度: 1.6mm 最高工作温度: +125 °C
TLP104(V4,E(T
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, TLP 104 系列, 表面安装安装, 5引脚 SO6 封装
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电 IC 最大正向电压: 1.85V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: SO6 最大输入电流: 25 mA 隔离电压: 3750 Vrms 逻辑输出: 是 系列: TLP 104 特殊功能: 适用于电动机控制应用中 Ipm 之间的隔离接口
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, TLP 104 系列, 表面安装安装, 5引脚 SO6 封装
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电 IC 最大正向电压: 1.85V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: SO6 最大输入电流: 25 mA 隔离电压: 3750 Vrms 逻辑输出: 是 系列: TLP 104 特殊功能: 适用于电动机控制应用中 Ipm 之间的隔离接口
TK35N65W5,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 35 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 35 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 95 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 115 nC @ 10 V 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 35 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 35 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 95 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 270 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 115 nC @ 10 V 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 高度: 20.95mm 宽度: 5.02mm 系列: DTMOSIV 正向二极管电压: 1.7V
TLP2200(F)
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装安装, 交流输入, 8引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 集成电路 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 8 封装类型: DIP 输入电流类型: 交流 典型上升时间: 35ns 最大输入电流: 5 mA 隔离电压: 2500 V 有效值 逻辑输出: 是 典型下降时间: 20ns
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装安装, 交流输入, 8引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 集成电路 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 8 封装类型: DIP 输入电流类型: 交流 典型上升时间: 35ns 最大输入电流: 5 mA 隔离电压: 2500 V 有效值 逻辑输出: 是 典型下降时间: 20ns
TK7Q65W,S1Q(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 800 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 800 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 高度: 7.12mm 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 长度: 6.65mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V
TLP2355(E(O
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 表面安装安装, 直流输入, 5引脚 SO 封装
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电探测器 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: SO 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 0.015µs 最大输入电流: 20 mA 隔离电压: 3750 Vrms 逻辑输出: 是 典型下降时间: 0.012µs
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 表面安装安装, 直流输入, 5引脚 SO 封装
安装类型: 表面安装 输出设备: 光电探测器 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: SO 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 0.015µs 最大输入电流: 20 mA 隔离电压: 3750 Vrms 逻辑输出: 是 典型下降时间: 0.012µs
TK8Q65W,S1Q(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 7.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 670 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 长度: 6.65mm 高度: 7.12mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 7.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 670 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 长度: 6.65mm 高度: 7.12mm
TLP590B(F)
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装, 5引脚, PDIP 封装, 直流输入
安装类型: 通孔安装 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: PDIP 输入电流类型: 直流 最大输入电流: 50 mA 隔离电压: 2.5 kVrms 逻辑输出: 是
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装, 5引脚, PDIP 封装, 直流输入
安装类型: 通孔安装 最大正向电压: 1.7V 通道数目: 1 针数目: 5 封装类型: PDIP 输入电流类型: 直流 最大输入电流: 50 mA 隔离电压: 2.5 kVrms 逻辑输出: 是
SSM3K324R
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 4 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 109 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.8mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 高度: 0.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 4 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 109 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.8mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 高度: 0.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V