TTD1409B,S4X(S
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>达林顿管
描述
东芝 达林顿管, 6 A, 每片2芯片 NPN, Vce=400 V, HFE=100, 3引脚 TO-220SIS封装
物料参数
| 晶体管类型: | NPN |
| 最大连续集电极电流: | 6 A |
| 最大集电极-发射极电压: | 400 V |
| 最大发射极-基极电压: | 5 V |
| 封装类型: | TO-220SIS |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 配置: | 单 |
| 每片芯片元件数目: | 2 |
| 最小直流电流增益: | 100 |
| 最大基极-发射极饱和电压: | 2.5 V |
| 最大集电极-基极电压: | 600 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压: | 2 V |
| 最大集电极-基极截止电流: | 20µA |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 基电流: | 1A |
| 长度: | 10mm |
| 高度: | 15mm |
| 宽度: | 4.5mm |
| 最大功率耗散: | 25 W @ 25 °C |
| 尺寸: | 10 x 4.5 x 15mm |