TK6Q65W,S1Q(S
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 5.8 A |
| 最大漏源电压: | 650 V |
| 封装类型: | IPAK (TO-251) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 1.05 Ω |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3.5V |
| 最小栅阈值电压: | 2.5V |
| 最大功率耗散: | 60 W |
| 最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 系列: | DTMOSIV |
| 宽度: | 2.3mm |
| 高度: | 7.12mm |
| 正向二极管电压: | 1.7V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 11 nC @ 10 V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 6.65mm |