VANGUARD

Vanguard Electronics, an acknowledged leader in space level magnetics, power transformer and power inductor industry, has manufactured the highest quality electronic components for defense, space, commercial and industrial applications since 1952.

商品列表

VS3540AC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VS2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VSP020P06MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VSO011N06MS
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道 60V 12A

VS3618AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 30V 50A

VS2622AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.8mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA N沟道 20V 56A

VS4020AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VS6016HS-A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 60V 12A

VS4604AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250uA N沟道 40V 125A

VSD050P10MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA P沟道 -100V -34A