VANGUARD
Vanguard Electronics, an acknowledged leader in space level magnetics, power transformer and power inductor industry, has manufactured the highest quality electronic components for defense, space, commercial and industrial applications since 1952.
商品列表
VS8205BH
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@4.5V,3A N沟道 16V 5.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@4.5V,3A N沟道 16V 5.5A
VSP007N07MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 80V 65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 80V 65A
VS3640DS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,4A N沟道 30V 9A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,4A N沟道 30V 9A
VS4518AD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：33A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250uA P沟道 -40V -33A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：33A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250uA P沟道 -40V -33A
VS3610AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>64A</SPAN> 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@4.5V,16A N沟道 30V 64A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>64A</SPAN> 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@4.5V,16A N沟道 30V 64A