VANGUARD

Vanguard Electronics, an acknowledged leader in space level magnetics, power transformer and power inductor industry, has manufactured the highest quality electronic components for defense, space, commercial and industrial applications since 1952.

商品列表

VST012N06MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 60V 55A

VS3618BE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VS4618AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：43A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@4.5V,10A N沟道 40V 43A

VS8068AD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

VST018N10MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 100V 60A

VS3622AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 30V 45A

VSF013N10MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：43A 功率(Pd)：47W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250μA N沟道 100V 43A

VST007N07MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA N沟道 80V 80A

VSO025C03MC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N+P沟道

VSP007P06MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET P-CH 60V 80A 8mohm PDFN5*6 VG