场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.8mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA N沟道 20V 56A