场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 30V 50A