场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 60V 12A