VSD050P10MS
品牌
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA P沟道 -100V -34A