NCE
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NCE6045G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 45A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.90mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 45A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.90mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
NCE3025Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 25W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 输入电容: 1.53nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 25W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 输入电容: 1.53nF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
NCE3420
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V；功能同SI2300/SI2302，内阻更低,电流更大。
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 515pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V；功能同SI2300/SI2302，内阻更低,电流更大。
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 515pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
NCE60H15A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 150A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 5.451nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 130.8nC 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 150A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 5.451nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 130.8nC 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE40H12
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 阈值电压: 2.5V 额定功率: 130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 75nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4mΩ 输入电容: 5.4nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 阈值电压: 2.5V 额定功率: 130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 75nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4mΩ 输入电容: 5.4nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE9435
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ@10V,5.1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 980pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ@10V,5.1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 980pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
NCEP3090GU
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=30V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 70W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 5.15 x 6.10mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34.8nC 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=30V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 70W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 5.15 x 6.10mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34.8nC 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE2060K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 60W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 60W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 27nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 60W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 60W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 27nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
NCE30H15K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 130W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5mΩ 输入电容: 5nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 额定功率: 130W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5mΩ 输入电容: 5nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
NCE82H140
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.3mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 384pF@40V 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 输入电容: 7.9nF 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 158nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.3mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 384pF@40V 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 输入电容: 7.9nF 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 158nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道