NCE2060K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-252-2(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 27nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3749 |
| 10+ | ¥0.3461 |
| 30+ | ¥0.3403 |
| 100+ | ¥0.3230 |
| 包装：1 | 库存：10 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.7054 |
| 50+ | ¥0.6257 |
| 150+ | ¥0.5858 |
| 包装：5 | 库存：30 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8858 |
| 包装：1 | 库存：10 |