NCE3420

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:1.25W
击穿电压:20V
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6A
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:515pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):12nC
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1112
30+¥0.1073
100+¥0.1033
500+¥0.0954
1000+¥0.0914
2000+¥0.0890
包装:1 库存:2950
价格梯度 价格
10+¥0.1462
100+¥0.1171
300+¥0.1026
3000+¥0.0917
6000+¥0.0829
9000+¥0.0786
包装:10 库存:850
价格梯度 价格
1+¥0.3430
包装:1 库存:10