NCE3420
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | NCE |
功率耗散: | 1.25W |
击穿电压: | 20V |
阈值电压: | 1V@250µA |
原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 6A |
长x宽/尺寸: | 3.00 x 1.40mm |
封装/外壳: | SOT-23 |
漏极电流: | 1uA |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
输入电容: | 515pF |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 20V |
栅极电荷(Qg): | 12nC |
高度: | 1.15mm |
晶体管类型: | N沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.1112 |
30+ | ¥0.1073 |
100+ | ¥0.1033 |
500+ | ¥0.0954 |
1000+ | ¥0.0914 |
2000+ | ¥0.0890 |
包装:1 | 库存:2950 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
10+ | ¥0.1462 |
100+ | ¥0.1171 |
300+ | ¥0.1026 |
3000+ | ¥0.0917 |
6000+ | ¥0.0829 |
9000+ | ¥0.0786 |
包装:10 | 库存:850 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.3430 |
包装:1 | 库存:10 |