NCE30H15K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):130W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:130W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:150A
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5mΩ
输入电容:5nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
高度:2.40mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:2pin
价格梯度 价格
1+¥1.4775
10+¥1.3360
30+¥1.2417
100+¥1.1002
500+¥1.0342
1000+¥0.9870
包装:1 库存:4140
价格梯度 价格
1+¥2.5087
包装:1 库存:8