NCE3025Q

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250μA
额定功率:25W
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:25A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14mΩ
输入电容:1.53nF
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.8710
10+¥0.8040
30+¥0.7906
100+¥0.7504
包装:1 库存:10