NCE40H12
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 额定功率: | 130W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 4mΩ@10V,20A |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | 20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 75nC |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 4mΩ |
| 输入电容: | 5.4nF |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 栅极电荷(Qg): | 75nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.9049 |
| 包装：1 | 库存：2 |