NCE0224K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:200V
阈值电压:3.2V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:24A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):80mΩ
原产国家:China
漏源电压(Vdss):200V
栅极电荷(Qg):60nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:2pin
价格梯度 价格
1+¥2.5335
30+¥2.4368
100+¥2.3401
500+¥2.1467
1000+¥2.0500
2000+¥1.9920
包装:1 库存:1724
价格梯度 价格
1+¥4.6893
包装:1 库存:10