NCE0224K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:200V
阈值电压:3.2V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:24A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):80mΩ
输入电容:4.2nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):200V
栅极电荷(Qg):60nC
高度:2.40mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.0985
30+¥2.0184
100+¥1.9383
500+¥1.7781
1000+¥1.6981
2000+¥1.6500
包装:1 库存:1724
价格梯度 价格
1+¥4.6893
包装:1 库存:10